电阻式随机存取存储器(ReRAM)

作者: Judy Howell
创建日期: 2 七月 2021
更新日期: 21 六月 2024
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内容

定义-电阻随机存取存储器(ReRAM)是什么意思?

电阻式随机存取存储器(RRAM / ReRAM)是一种新型的非易失性存储器。许多公司正在开发它,并且一些公司已经为其自己的技术版本申请了专利。存储器通过改变特殊的介电材料的电阻来工作,该材料称为忆阻器(内存电阻器),其阻值随施加的电压而变化。


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Techopedia解释了电阻式随机存取存储器(ReRAM)

RRAM是一种新型的电介质材料的结果,该材料不会永久损坏,并且在发生电介质击穿时会失效;对于忆阻器,介电击穿是暂时的且可逆的。当有意将电压施加到忆阻器上时,会在材料中创建称为细丝的微观导电路径。细丝是由金属迁移甚至物理缺陷等现象引起的。施加不同的外部电压可能会折断和反转细丝。正是这种大量细丝的产生和破坏允许存储数字数据。具有忆阻器特性的材料包括钛和镍的氧化物,某些电解质,半导体材料,甚至一些有机化合物也经过测试具有这些特性。

与其他非易失性技术相比,RRAM的主要优点是切换速度高。由于忆阻器的薄型,与闪存相比,它具有很高的存储密度,更高的读写速度,更低的功耗和更便宜的成本的潜力。由于材料的限制,闪存无法继续扩展,因此RRAM将很快取代闪存。