垂直金属氧化物半导体(VMOS)

作者: Louise Ward
创建日期: 4 二月 2021
更新日期: 24 六月 2024
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内容

定义-垂直金属氧化物半导体(VMOS)是什么意思?

垂直金属氧化物半导体(VMOS)是一种金属氧化物半导体(MOS)晶体管,之所以得名,是因为V形凹槽垂直切割到基板中,用作晶体管的栅极,从而可以传输从源极流向器件“漏极”的电流量更大。


垂直金属氧化物半导体也称为V槽MOS。

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Techopedia解释了垂直金属氧化物半导体(VMOS)

垂直金属氧化物半导体是通过在硅中形成四个不同的扩散层,然后在整个中间层中以精确控制的深度垂直蚀刻中间的V形凹槽来构造的。然后通过在沟槽中的二氧化硅上沉积通常是氮化镓(GaN)的金属,在V形沟槽内形成栅电极。

在引入更好的几何形状(例如UMOS或沟槽栅MOS)之前,VMOS一直主要用作“间隙”功率器件,这会在顶部产生较低的电场,从而导致最高电压高于采用VMOS可能产生的电压。 VMOS晶体管。